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张小明 2026/1/12 23:45:11
网站建设与维护实训,模板之家网页模板下载,建立主题网站的顺序一般是,国际军事新闻视频直播在电源管理与DC-DC转换器设计中#xff0c;MOSFET的选择直接影响系统的效率、可靠性与成本。今天我们将推出的一款40V P沟道MOSFET——SP40P65NJ#xff0c;结合其官方规格书#xff0c;从关键参数、性能特点到封装信息进行全面梳理。一、核心规格摘要参数典型值条件漏源击穿…在电源管理与DC-DC转换器设计中MOSFET的选择直接影响系统的效率、可靠性与成本。今天我们将推出的一款40V P沟道MOSFET——SP40P65NJ结合其官方规格书从关键参数、性能特点到封装信息进行全面梳理。一、核心规格摘要参数典型值条件漏源击穿电压-40VVGS0V, ID-250μA导通电阻典型65mΩVGS-10V, ID-3A连续漏极电流Tc25°C-12A栅极阈值电压-1.7V典型VGSVDS, ID-250μA总栅极电荷9nC封装类型PDFN3X3-8L尺寸约3mm×3mm二、关键特性解析1.低导通电阻RDS(on)典型值仅为65mΩVGS-10V时即使在VGS-4.5V条件下也仅为85mΩ适合低栅压驱动场景。低导通损耗有助于提升系统效率尤其在高频开关应用中表现突出。2.快速开关性能开启延迟时间 Td(on)Td(on) 仅4.2ns上升时间 TrTr 为6ns关断延迟时间 Td(off)Td(off) 为26.8ns下降时间 TfTf 为20.6ns适合高频DC-DC转换与同步整流应用。3.良好的热性能与可靠性最大功耗 PDPD 达15WTc25°C结壳热阻 RθJCRθJC 仅8.3°C/W支持100% 单脉冲雪崩能量测试EASEAS 达25mJ具备较强的抗瞬态过压能力。4.体二极管特性体二极管正向压降 VSDVSD 最大-1.2VIS-1A反向恢复时间 TrrTrr 典型值35ns适用于同步整流与续流场景。三、电气特性一览Ta25°C参数符号条件最小值典型值最大值单位栅极漏电流IGSSVGS±20V--±100nA输入电容CissVDS-15V, f1MHz-520-pF输出电容Coss同上-52-pF反向传输电容Crss同上-41-pF四、封装与订购信息封装型号PDFN3X3-8L外形尺寸约3.0mm × 3.0mm厚度0.65–0.85mm引脚间距0.55–0.75mm包装方式卷带包装每卷5000颗标记信息器件表面印有“40P65”及月份代码五、典型应用场景DC-DC降压/升压转换器电源管理模块电机驱动与负载开关电池保护与功率分配电路六、总结SP40P65NJ作为一款40V P沟道MOSFET在导通电阻、开关速度、热性能等方面表现均衡尤其适合中低压、中功率的电源转换场景。其PDFN3X3-8L封装也适合对空间要求较高的紧凑型设计。设计者在选型时可根据实际驱动电压、电流需求与散热条件结合其RDS(on)与Qg曲线进行优化。